勻膠機旋涂儀廣泛應用于MEMS微加工、生物、材料等領域。它可用于制備厚度小于10nm的薄膜。它也常用于厚度約為1-100微米的光刻膠沉積層的光刻工藝中。許多平面基板材料可用于涂層，如半導體硅片、載玻片、晶片、基板、ITO導電玻璃等。
 

　　勻膠機旋涂儀的工作原理：
 

　　通過在晶片支架上產生負壓，待旋涂的基材吸附在晶片架上，膠水滴在基材表面。通過精確調節電機的轉速來改變離心力。同時，滴膠裝置控制膠水的流速，以達到制備薄膜所需的厚度。此外，涂膜厚度還取決于旋涂時間、膠液粘度、涂膜溫度和濕度等環境因素。
 

　　靜態滴加是簡單地將光刻膠滴到靜態襯底表面的中心，滴加量為1-10ml。滴膠量應根據光致抗蝕劑的粘度和基材的尺寸確定。如果粘度高或基材大，通常需要滴更多的膠水，以確保在高速旋轉階段整個基材都涂上膠水。
 

　　動態滴下方法是在基板以低速旋轉時滴下光致抗蝕劑。“動態”功能是使光刻膠易于在基板上擴散，減少光刻膠的浪費。動態滴涂法可以在沒有大量光刻膠的情況下濕潤整個基板表面。特別是當光致抗蝕劑或基板本身的潤濕性不好時，動態滴膠特別適用，不會產生針孔。
 

　　滴膠后，下一步是高速旋轉。光致抗蝕劑層被減薄以達到最終所需的膜厚度。旋轉速度的選擇還取決于光致抗蝕劑的性能(包括粘度、溶劑揮發速度、固體含量和表面張力等)和基底的尺寸?？焖傩D的時間范圍從10秒到幾分鐘。均勻化的速度和時間通常決定最終膜的厚度。